Université d'Orléans

Thomas Tillocher

Fiche Perso

 

Maître de Conférences

Section n° 63

 

GREMI, Groupe de Recherches sur l'Energétique des Milieux Ionisés

UMR7344, CNRS/Université d'Orléans

14 rue d'Issoudun, BP 6744

45067 Orléans Cedex 2, France

 

Courriel : thomas.tillocher[remplacer par @]univ-orleans.fr

Téléphone : +33 2 38 41 73 87

 

 

Thèmes

Thème I.2 : Nanotechnologies (Gravure de matériaux par plasma)

 

Centres d'intérêt ou Activité Scientifique

Gravure profonde du silicium par procédés cryogéniques (applications pour la microélectronique, les MEMS, black silicon)

Transfert de motifs nanométriques dans les semiconducteurs

Gravure profonde du GaN (composants de puissance)

Gravure profonde du titane (applications biomédicales)

Gravure cryogénique de low-k (applications en microélectronique)

 

Compétences

-         Technologies salle blanche

-         Gravure plasma de matériaux semiconducteurs, conducteurs et isolants

-         Lithographie optique, lithographie électronique

-         Diagnostics plasma : spectrométrie de masse, sonde Langmuir, spectroscopie optique d’émission

-         Caractérisation matériaux : Microscopie Electronique à Balayage, Profilométrie mécanique EDX, Ellipsométrie

 

Enseignements

Collegium Sciences et Techniques de l’Université d’Orléans

 

Licence de physique

-         Licence 1 : Electricité (TP)

-         Licence 3 parcours STI (Sciences et Techniques de l’Ingénieur) : Conversion Electromécanique (CM, TD et TP)

 

Master ICMS (Instrumentation, Contrôle et Management des Systèmes)

-         Master 1 : Lasers et Fibres Optiques (CM, TD et TP)

 

Master Energie et Matériaux

-         Master 2 option Milieux et Matériaux en Conditions Extrêmes : Développement Durable (CM, TD)

 

Polytech’Orléans filière EEO (Ecotechnologies Electroniques et Optiques)

-         3A EEO : Eclairage (TD, Projets))

-         4A EEO : MicroNanotechnologies (TP, Projets), Lasers (TD, TP, Projets)

-         5A EEO, spécialité IP (Ingénierie Plasma) : Sources Plasmas, Procédés Plasmas (CM, TD, Projets)

 

Responsabilités

Responsable  de l’option de 5ème année Ingénierie Plasma à Polytech’Orléans

 

Parcours/Bio

 

2011 -

MAître de conférence

Gravure de matériaux par plasma - Microplasmas

GREMI, Orléans

2009 – 2011

ATER, POST-DOCtorANT

Gravure profonde du silicium par le procédé cryogénique

GREMI, Orléans

2009

POST-DOCtorANT

Elaboration et propriétés physiques du diamant pour l’électronique de puissance

GEMaC, Meudon

2008

Ingénieur R&D CHef de projet

Conception de systèmes de dépôt sous vide

MHS Equipment, Houilles

2006-2007

ingenieur d’applications

Développement de procédés plasmas basse pression

Oxford Instruments Plasma Technology, Yatton, Bristol, UK

2003 - 2006

DOCTORANT

Gravure profonde du silicium par procédé cryogénique – Application à la réalisation de trous traversants – Optimisation du procédé, mécanismes réactionnels en phase gazeuse et interaction plasma/silicium

GREMI, Orléans

 

Curriculum Vitae

 

Mes 5 publications principales

 

Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4

Zhang L., Ljazouli R., Lefaucheux P., Tillocher T., Dussart R., Mankelevich Y., De Marneffe J.-F., De Gendt S., Baklanov M.

ECS Journal of Solid State Science and Technology 2, N131 (2013)

 

A novel amorphization-etch alternating process for Si(100)

Mekkakia Maaza N., Dussart R., Tillocher T., Lefaucheux P., Ranson P.

Journal of Micromechanics and Microengineering 23, 045023 (2013)

 

Optimization of submicron deep trench profiles with the STiGer cryoetching process: reduction of defects

Tillocher T., Kafrouni W., Ladroue J., Lefaucheux P., Boufnichel M., Ranson P., Dussart R.

Journal of Micromechanics and Microengineering 21, 085005 (2011)

 

Boron acceptor concentration in diamond from excitonic recombination intensities

Barjon J., Tillocher T., Habka N., Brinza O., Achard J., Issaoui R., Silva F., Mer C., Bergonzo P.

Physical Review B. 83, 073201 (2011)

 

Two Cryogenic Processes Involving SF6, O2, and SiF4 for Silicon Deep Etching

Tillocher T., Dussart R., Overzet L. J., Mellhaoui X., Lefaucheux P., Boufnichel M., Ranson P.

Journal of the Electrochemical Society 155, D187 (2008)

 


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