Directeur de Recherche Classe Exceptionnelle (DRCE), HDR
INSIS - Section 10 du CNRS
GREMI, Groupe de Recherches sur l'Energétique des Milieux Ionisés
UMR7344, CNRS/Université d'Orléans
14 rue d'Issoudun, BP 6744
45067 Orléans Cedex 2, France
02 38 41 71 25
https://cv.hal.science/pascalbrault
Centres d'intérêt / Activité scientifique
Traitements et dépôts de couches minces par plasma. Les applications concernent les matériaux pour l’énergie (piles à combustible, batterie, …), pour la santé et l’environnement. En particulier, dépôts de couches minces multi-éléments tels que les catalyseurs pour les piles à combustible, les alliages hautes entropies.
Modélisation de la croissance des dépôts et de la chimie plasma par simulation en dynamique moléculaire et méthodes DFT/chimie quantique. Dans ce contexte, je m’intéresse aux développements de simulations par dynamique moléculaire pour accompagner et diagnostiquer/prédire des expériences menées au laboratoire ou en collaboration avec des laboratoires français ou étrangers :
- Croissance de couches minces multi-métalliques pour des applications comme catalyseurs pour la production et la conversion d’hydrogène (production hydrothermale avec l’aluminium, catalyseurs de piles à combustible) et plus généralement pour l’électrocatalyse, et les alliages hautes entropies.
- Croissance de polymères plasma et de suies dans les plasma hydrocarbonés
- Traitement de polluants organiques persistants dans l’eau : résidus pharmaceutiques, perturbateurs endocriniens, pesticide organochlorés/phosphorés.
Compétences
- Interaction plasma basse pression / surface,
- Pulvérisation plasma magnétron (DC, DC pulsé, en mode réactif)
- Mécanique statistique des interfaces
- Dynamique moléculaire des processus plasma surface (matériaux, liquide) et chimie des plasmas
Enseignements
- Réactivité de surface : Westfälische Hochschule, Recklinghausen, Allemagne
Responsabilités
- Directeur adjoint du GREMI
Coordination
Coordinateur du projet européen SMARTCat (JTI Fuel Cell and Hydrogen)
Parcours / Biographie
- Habilitation à diriger des Recherches (Orléans 20 mars 1992)
Interactions Plasma -Surface : Gravure du silicium par plasmas fluorés. Physico-chimie et modifications structurelles en surface - Doctorat en Sciences de l’Université d’Orléans (Orléans, 12 juin 1987, Dir. de thèse : Prof. O. Vallée)
Modèles semiclassiques en théorie des collisions : applications l’étude du couplage radial, aux collisions réactives induites par un champ de rayonnement et à l’élargissement des raies de Rydberg solaires
(Préparé à l’Observatoire de Paris-Meudon au Département Atomes et Molécules en Astrophysique) - DEA Physique des Gaz et Plasmas (Orléans, 1984)
- Maîtrise de Physique (Orléans, 1983)
- Licence de Physique (Orléans, 1982)
- DEUG A (Orléans, 1981)
- Baccalauréat série C (Orléans, 1979)
Distinction
- Lauréat du Trophée de la Recherche Publique « Energie, Environnement, Climat » 2015 de l’ADEME
- Lauréat du Prix Tremplin Recherche 2008 (Sénat 12 février 2008)
Mes 5 publications principales
- 1. R. Petri, P. Brault, O. Vatel, D. Henry, E. André, Ph. Dumas, F. Salvan
Silicon roughness induced by plasma etching
J. Appl. Phys. 74, 7498-7506 (1994)
- M. Cavarroc, A. Ennadjaoui, M. Mougenot, P. Brault, R. Escalier, Y. Tessier, J. Durand, S. Roualdès, T. Sauvage, C. Coutanceau
Performance of plasma sputtered Fuel Cell electrodes with ultra-low Pt loadings
Electrochemistry Communications 11, 859-861 (2009)
- D. B. Graves, P. Brault (Topical Review article)
Molecular dynamics for low temperature plasma-surface interaction studies
J. Phys. D 42 (2009) 194011
- P.Brault
Multiscale Molecular Dynamics Simulation of Plasma Processing: Application to Plasma Sputtering
Front. Phys. 6 (2018) 59
- P. Brault, M. Abraham, A. Bensebaa, O. Aubry, D. Hong, H. Rabat, M. Magureanu
Insight into plasma degradation of paracetamol in water using a reactive molecular dynamics approach
J. Appl. Phys. 129 (2021) 183304
Publications au GREMI (depuis 2006)
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Ma production scientifique est également accessible sur ma page HAL pour une recherche approfondie.