Maître de Conférences
Section CNU 63
GREMI, Groupe de Recherches sur l'Energétique des Milieux Ionisés
UMR7344, CNRS/Université d'Orléans
14 rue d'Issoudun, BP 6744
45067 Orléans Cedex 2, France
02 38 41 73 87
Centres d'intérêt / Activité scientifique
- Gravure profonde du silicium par procédés cryogéniques (applications pour la microélectronique, les MEMS, black silicon)
- Transfert de motifs nanométriques dans les semiconducteurs
- Gravure profonde du GaN (composants de puissance)
- Gravure profonde du titane (applications biomédicales)
- Gravure cryogénique de low-k (applications en microélectronique)
Compétences
- Technologies salle blanche
- Gravure plasma de matériaux semiconducteurs, conducteurs et isolants
- Lithographie optique, lithographie électronique
- Diagnostics plasma : spectrométrie de masse, sonde Langmuir, spectroscopie optique d’émission
- Caractérisation matériaux : Microscopie Electronique à Balayage, Profilométrie mécanique EDX, Ellipsométrie
Enseignements
- Collegium Sciences et Techniques de l’Université d’Orléans
- Licence de physique
- Licence 1 : Electricité (TP)
- Licence 3 parcours STI (Sciences et Techniques de l’Ingénieur) : Conversion Electromécanique (CM, TD et TP)
- Master ICMS (Instrumentation, Contrôle et Management des Systèmes)
- Master 1 : Lasers et Fibres Optiques (CM, TD et TP)
- Master Energie et Matériaux
- Master 2 option Milieux et Matériaux en Conditions Extrêmes : Développement Durable (CM, TD)
- Licence de physique
- Polytech’Orléans filière EEO (Ecotechnologies Electroniques et Optiques)
- 3A EEO : Eclairage (TD, Projets))
- 4A EEO : MicroNanotechnologies (TP, Projets), Lasers (TD, TP, Projets)
- 5A EEO, spécialité IP (Ingénierie Plasma) : Sources Plasmas, Procédés Plasmas (CM, TD, Projets)
Responsabilités
- Responsable de l’option de 5ème année Ingénierie Plasma à Polytech’Orléans
Parcours / Biographie
2011
MAITRE DE CONFERENCE
Gravure de matériaux par plasma - Microplasmas
GREMI, Orléans
2009-2011
ATER, POST-DOCTORANT
Gravure profonde du silicium par le procédé cryogénique
GREMI, Orléans
2009
POST-DOCTORANT
Elaboration et propriétés physiques du diamant pour l’électronique de puissance
GEMaC, Meudon
2008
INGENIEUR R&D CHEF DE PROJET
Conception de systèmes de dépôt sous vide
MHS Equipment, Houilles
2006-2007
INGENIEUR D’APPLICATIONS
Développement de procédés plasmas basse pression
Oxford Instruments Plasma Technology, Yatton, Bristol, UK
2003-2006
DOCTORANT
Gravure profonde du silicium par procédé cryogénique – Application à la réalisation de trous traversants – Optimisation du procédé, mécanismes réactionnels en phase gazeuse et interaction plasma/silicium
GREMI, Orléans
Mes 5 publications principales
- Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4
Zhang L., Ljazouli R., Lefaucheux P., Tillocher T., Dussart R., Mankelevich Y., De Marneffe J.-F., De Gendt S., Baklanov M.
ECS Journal of Solid State Science and Technology 2, N131 (2013) - A novel amorphization-etch alternating process for Si(100)
Mekkakia Maaza N., Dussart R., Tillocher T., Lefaucheux P., Ranson P.
Journal of Micromechanics and Microengineering 23, 045023 (2013) - Optimization of submicron deep trench profiles with the STiGer cryoetching process: reduction of defects
Tillocher T., Kafrouni W., Ladroue J., Lefaucheux P., Boufnichel M., Ranson P., Dussart R.
Journal of Micromechanics and Microengineering 21, 085005 (2011) - Boron acceptor concentration in diamond from excitonic recombination intensities
Barjon J., Tillocher T., Habka N., Brinza O., Achard J., Issaoui R., Silva F., Mer C., Bergonzo P.
Physical Review B. 83, 073201 (2011) - Two Cryogenic Processes Involving SF6, O2, and SiF4 for Silicon Deep Etching
Tillocher T., Dussart R., Overzet L. J., Mellhaoui X., Lefaucheux P., Boufnichel M., Ranson P.
Journal of the Electrochemical Society 155, D187 (2008)
Publications au GREMI (depuis 2006)
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