Soutenance de thèse de Dario SCIACQUA

Ces dernières années, les polymères conducteurs, et en particulier la polyaniline, ont suscité l'intérêt de la communauté scientifique en raison de leurs propriétés intéressantes et de la grande variété de leurs applications. La synthèse de films minces par plasma est fréquemment utilisée pour déposer des films ultra-minces et sans trou d'épingle sur une grande catégorie de substrats différents. Cependant, la synthèse de films minces au moyen de plasmas à basse température est assez complexe en raison du grand nombre d'espèces différentes (neutres, radicaux, ions) qui sont créées dans le volume du plasma. Toutes ces espèces peuvent contribuer au flux d'espèces qui frappe le substrat et affecter - souvent de manière synergique - la croissance des films minces en termes de vitesse de croissance et de propriétés des films. Le contrôle des flux d'espèces émergeant du plasma est donc le principal défi des applications technologiques. Cette contribution traite des processus de polymérisation dans une décharge RF à couplage capacitif opérée dans différents mélanges (Ar/aniline, aniline pure, acétylène) pour la production de films minces de polymère. Le rôle des différentes espèces impliquées dans le processus, par exemple les ions positifs, les ions négatifs, les neutres, pour le dépôt de films minces dans ces mélanges gazeux en fonction de différents paramètres expérimentaux (puissance, pression, rapport cyclique, débit, taux de pompage) est l'objectif principal de ce travail. Plusieurs méthodes expérimentales incluant différentes électrodes faites maison (électrode structurée, électrode en forme de coupe) ont été employées pour séparer et distinguer partiellement les contributions des différentes espèces pendant le processus ainsi que la possibilité de les empêcher (filtrer) d'atteindre le substrat. Le filtrage des espèces produites dans le plasma peut donner une nouvelle perspective pour le contrôle des processus de dépôt par plasma. La dernière partie du travail a concerné le processus de dopage des films déposés et l'étude de leur stabilité. L'analyse du plasma a été faite au moyen de plusieurs techniques impliquant l'interférométrie micro-onde, la spectrométrie de masse et la FT-IR in situ. Les matériaux déposés ont été étudiés par FT-IR, NEXAFS, XPS, Ellipsométrie et microscopie optique.